製品概要
概要
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) at IC = 30 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
All tools & software
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
製品スペック (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 7.0 | 18 Mar 2021 | 18 Mar 2021 |
アプリケーションノート (4)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 31 Oct 2024 | 31 Oct 2024 | ||
| 1.1 | 31 Oct 2024 | 31 Oct 2024 | ||
| 1.0 | 31 Oct 2024 | 31 Oct 2024 | ||
| 1.0 | 31 Oct 2024 | 31 Oct 2024 |
テクニカル･ノート & 技術解説 (3)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 19 Nov 2021 | 19 Nov 2021 | ||
| 2.4 | 11 Jul 2023 | 11 Jul 2023 | ||
| 2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
フライヤー (5)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 07 Jul 2020 | 07 Jul 2020 | ||
| 1.1 | 27 Feb 2022 | 27 Feb 2022 | ||
| 1.0 | 18 Jun 2021 | 18 Jun 2021 | ||
| 1.0 | 27 Feb 2022 | 27 Feb 2022 | ||
| 1.0 | 16 Dec 2024 | 16 Dec 2024 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGW30H65FB
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW30H65FB | 量産中 | Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGW30H65FB
Package:
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGW30H65FB | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
| |||||||||||
STGW30H65FB 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。