STGWA100H65DFB2

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TO-247ロング・リード・パッケージで提供されるトレンチ・ゲート・フィールドストップ技術を用いた高速HB2シリーズIGBT(650V、100A)

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製品概要

概要

最新のIGBT 650V HB2シリーズは、先進的な独自技術によるトレンチ・ゲート・フィールドストップ構造をベースにした製品です。HB2シリーズの性能は、小電流におけるVCE(sat)特性の向上により、導通損失およびスイッチングに要するエネルギー低減において最適化されています。きわめて高速なソフト・リカバリ・ダイオードがIGBTと逆並列でパッケージに実装されているため、幅広い高速アプリケーションにおいて最大限の効率を得ることが可能です。

  • 特徴

    • 最大動作温度: TJ = 175°C
    • 低VCE(sat): 1.55V(typ.)@ IC = 100A
    • きわめて高速なソフト・リカバリ・ダイオードをパッケージに実装
    • 最小限のテール電流
    • ばらつきが小さいパラメータ分布
    • 低熱抵抗
    • 正の温度係数を持つVCE(sat)

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWA100H65DFB2

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA100H65DFB2
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Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA100H65DFB2

Package:

Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

Material Declaration**:

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Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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