STGWA25M120DF3

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Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

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製品概要

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft- and fast-recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWA25M120DF3

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA25M120DF3
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TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA25M120DF3

Package:

TO-247 long leads

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STGWA25M120DF3
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。