製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 6 μs of minimum short circuit withstand time
- Low VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 30 A
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Soft and very fast-recovery antiparallel diode
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGWA30M65DF2AG
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA30M65DF2AG | 量産中 | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads package | TO-247 long leads | オートモーティブ | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
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| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGWA30M65DF2AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGWA30M65DF2AG 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。