製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 5 μs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
- Tight parameter distribution
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Very fast recovery antiparallel diode
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGYA75H120DF2
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 13 Oct 2021 | 13 Oct 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGYA75H120DF2 | 量産中 | Max247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGYA75H120DF2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STGYA75H120DF2 量産中
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