製品概要
概要
These N-channel Power MOSFETs utilize the STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
-
特徴
- Ultra low on-resistance
- 100% avalanche tested
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
---|
SPICE models (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
---|---|---|---|---|
ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
---|---|---|---|---|---|
STH240N10F7-2 | 量産中 | H2PAK-2 | インダストリアル | Ecopack1 (*) |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STH240N10F7-2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STH240N10F7-2 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。