STL160N4F7

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N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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製品概要

概要

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

  • 特徴

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STL160N4F7

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL160N4F7
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PowerFLAT 5x6 インダストリアル Ecopack2

STL160N4F7

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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