製品概要
概要
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
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特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STS7P4LLF6
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| STS7P4LLF6 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STS7P4LLF6 量産中
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