製品概要
概要
This Power MOSFET is designed using the STMicroelectronics consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
-
特徴
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STW3N170
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.1 | 17 Apr 2024 | 17 Apr 2024 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STW3N170 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STW3N170 量産中
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