製品概要
概要
Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.
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特徴
- Very low on-resistance
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Avalanche ruggedness
- High speed switching
- Very low intrinsic capacitances
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STW9N150
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STW9N150 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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