製品概要
概要
The RF2L16180CB4 is a 180 W, internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.
-
特徴
- High efficiency and linear gain operations
- Integrated ESD protection
- Internally matched for ease of use
- Optimized for Doherty applications
- Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
- In compliance with the European Directive 2002/95/EC
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - RF2L16180CB4
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RF2L16180CB4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
RF2L16180CB4 NRND
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。