製品概要
概要
The RF2L42008CG2 is a 8 W, 28 V, internally matched LDMOS FETs, designed for global positioning system, wideband communications and ISM applications in the frequency range from 0.7 to 4.2 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.
-
特徴
- High efficiency and linear gain operations
- Integrated ESD protection
- Internally matched for ease of use
- Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
- Excellent thermal stability, low HCI drift
- In compliance with the european directive 2002/95/EC
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - RF2L42008CG2
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
ADS models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
Don't show this again
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RF2L42008CG2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
RF2L42008CG2 NRND
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
Don't show this again
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。