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RF LDMOSトランジスタ

STは、7V~50 Vで動作するRF LDMOS(横方向二重拡散金属酸化物半導体)トランジスタの幅広い製品ポートフォリオを提供しています。1MHz~4GHzのアプリケーションを対象とし、高いピーク電力(>1kW)と堅牢性を備えています。

STの28V / 50V LDMOSトランジスタは、出力飽和能力を高めると同時に、高出力レベルにおける歪みが最小化されています。優れたRF性能(ゲイン: 3dB向上 / 効率性: 15%向上)、堅牢性、および信頼性を特徴とします。

  • 以下のようなアプリケーションを対象とします。
  • ISM(産業 / 科学 / 医療)および放送
  • モバイル / 広帯域通信
  • 航空電子機器およびレーダ
  • テレコム / 衛星通信

STのPowerSO-10プラスチック・パッケージには、高い信頼性を実現する高出力SMDパッケージが使われています。組み立てが容易なRF向けのパッケージです。チップオンボード(CoB)設計用にダイで供給可能な製品もあります。

また、評価ボードやソフトウェア・シミュレータ、解析ツールの幅広い提供により、設計期間の短縮に貢献します。