製品概要
概要
This 10 A, 650 V, SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Qualified in low profile package, the STPSC10065DLF in PowerFLAT 8x8 HV, enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom and network, industrial or renewable energy domains.
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特徴
- Less than 1 mm height package
- High creepage package
- No or negligible reverse recovery
- Temperature independent switching behavior
- High forward surge capability
- Very low drop forward voltage
- Power efficient product
- ECOPACK2 compliant component
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STPSC10065DLF
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC10065DLF | 量産中 | POWER FLAT MLPD 8X8 4L MIXPLANT | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | Junction Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STPSC10065DLF | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STPSC10065DLF 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。