STは、クラス最高のBCD6s SOIテクノロジーを使用して製造された、QML-V認定済みの耐放射線性ゲート･ドライバを提供しています。速度と安全性に優れ、放射線や過酷な環境に対して、より強力かつ堅牢な製品です。
STの高周波デュアル･ローサイド･ドライバ･シリーズは、吸収線量100krad（Si）で認定を受け、最大70MeV.cm2/mgのSEL耐性を備えています。正負両出力バージョンを備えており、セラミック製の密封パッケージ（業界標準のピン配置のFlat-16またはスペースを最適化したFlat-10）で提供されます。
STの耐放射線性ゲート･ドライバは、電源電圧範囲が広いため、柔軟性に優れたソリューションを実現し、過酷な環境下で高静電容量MOSFETとともに動作することができます。
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