製品概要
概要
The STRH12P10 is a P-channel Power MOSFET developed with the Rad-hard STripFET technology in hermetic TO-257AA package.
Specifically designed to sustain Total Ionized Dose and immunity to heavy ion effects, it is qualified as per ESCC 5205/029 detail specification. In case of discrepancies between this datasheet and the relevant agency specification, the latter takes precedence.
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特徴
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Hermetic package
- 100 krad TID
- SEE radiation hardened
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STRH12P10
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フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 4.0 | 22 May 2024 | 22 May 2024 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STRH12P10GY1 | 量産中 | TO-257 | インダストリアル | N/A | |
| STRH12P10GYG | 量産中 | TO-257 | インダストリアル | N/A | |
| STRH12P10GYT | 量産中 | TO-257 | インダストリアル | N/A | |
STRH12P10GY1
Package:
TO-257Material Declaration**:
STRH12P10GYG
Package:
TO-257Material Declaration**:
STRH12P10GYT
Package:
TO-257Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | Package: Product Marking | SMD PIN/Detailed Spec | Quality Level | Lead Finish | |
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| STRH12P10GYG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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| STRH12P10GYT | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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| STRH12P10GY1 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STRH12P10GYG 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
STRH12P10GYT 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
STRH12P10GY1 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。