STPSC10H12G2Y-TR

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Automotive Grade 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode

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製品概要

概要

This 10 A, 1200 V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Housed in D2PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in OBC, DC/DC for EV, easing the compliance to IEC-60664-1.

The STPSC10H12G2Y-TR will boost performances in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • PPAP capable
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • Low VF
    • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min.
    • ECOPACK2 compliant

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC10H12G2Y-TR

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製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC10H12G2Y-TR
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H2PAK-2 オートモーティブ Ecopack2

STPSC10H12G2Y-TR

Package:

H2PAK-2

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Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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