STPSC20H065C-Y

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Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature and are ideal for automotive applications.

Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • High forward surge capability
    • AEC-Q101 qualified
    • ECOPACK®2 compliant component
    • PPAP capable

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC20H065C-Y

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3D model

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC20H065CTY
量産中
TO-220AB オートモーティブ Ecopack2
STPSC20H065CWY
量産中
TO-247 オートモーティブ Ecopack2

STPSC20H065CTY

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-220AB

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

STPSC20H065CWY

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STPSC20H065CTY

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最大:

Junction Temperature (°C) (max):

175

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STPSC20H065CWY

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最小:

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