製品概要
概要
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in boot strap, snubber circuits, or clamping functions of SiC MOS-FETs, the STPSC2H12-Y diode will help designers getting the best possible performance of their controlled switches in all conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application.
Its improved creepage distance ensures the compatibility with industrial and automotive creepage standards.
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特徴
- AEC-Q101 qualified
- PPAP capable
- No or negligible reverse recovery
- High forward surge capability
- Operating Tj from -40 °C to 175 °C
- Creepage distance of 3 mm as per IEC 60664-1
- ECOPACK2 compliant component
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STPSC2H12-Y
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 16 Dec 2019 | 16 Dec 2019 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STPSC2H12B2Y-TR | 量産中 | DPAK HV 2L | オートモーティブ | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | Junction Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STPSC2H12B2Y-TR | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STPSC2H12B2Y-TR 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。