STTH12S06

量産中
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600 V, 12 A Turbo 2 Ultrafast Boost Diode

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製品概要

概要

ST's STTH12S06 is a state of the art Ultrafast recovery diode. By the use of 600 V Pt doping Planar technology, this diode will outperform the power factor correction circuits operating in hardswitching conditions. The extremely low reverse recovery current of the STTH12S06, reduces significantly the switching power losses of the MOSFET, and thus increases the efficiency of the application. This allows designers to reduce the size of their heatsinks.

This device is also intended for applications in power supplies and power conversions systems, and other power switching applications.

  • 特徴

    • Insulated voltage: 1500 VRMS
    • Ultrafast recovery
    • Reduces losses in diode and switching transistor
    • Low reverse recovery current
    • Higher frequency operation
    • Low thermal resistance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STTH12S06

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STTH12S06FP
量産中
TO-220FPAC インダストリアル Ecopack2

STTH12S06FP

Package:

TO-220FPAC

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-220FPAC

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STTH12S06FP
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STTH12S06FP 量産中

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-
パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STTH12S06FP

Junction Temperature (°C) (max):

175

販売代理店

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。