STTH8T06

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600 V tandem Extrafast Boost Diode

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製品概要

概要

This device is part of ST's second generation of 600 V tandem diodes. It has ultralow switching-losses with a minimized QRR(6 nC) that makes it perfect for use in circuits working in hard-switching mode. In particular the VF/QRRtrade-off positions this device between standard ultrafast diodes and silicon-carbide Schottky rectifiers in terms of price/performance ratio.

The device offers a new positioning giving more flexibility to power-circuit designers looking for good performance while still respecting cost constraints.

Featuring ST's Turbo 2 600 V technology, the device is particularly suited as a boost diode in continuous conduction mode power factor correction circuits.

  • 特徴

    • High voltage rectifier
    • Tandem diodes in series
    • Very low switching losses
    • Insulated device with internal ceramic
    • Equal thermal conditions for both 300 V diodes
    • Static and dynamic equilibrium of internal diodes are warranted by design
    • Insulated package:
      • Capacitance: 7 pF
      • Insulated voltage: 2500 V rms

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STTH8T06

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STTH8T06DI
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TO-220AC Ins インダストリアル Ecopack2

STTH8T06DI

Package:

TO-220AC Ins

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

TO-220AC Ins

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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梱包タイプ:
RoHS:
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ECCN (US):
ECCN (EU):

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STTH8T06DI

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