パワー･トランジスタ

STの革新的な技術を活用したパワー･トランジスタであるSTPOWERファミリは、広範なパッケージ･ポートフォリオと革新的なダイ･ボンディング技術を活用した高電圧および低電圧アプリケーション向けの最先端パワー･テクノロジーです。STは、耐圧-100V～1700VのパワーMOSFET、300V～1700VのIGBT、15V～1700Vのパワー･バイポーラ･トランジスタなどを含む幅広い製品ポートフォリオを提供しています。STのSiC（シリコン･カーバイド）MOSFETは、パワー･エレクトロニクス･システムにおける熱設計の改良を通じ、業界最高峰の200℃の温度定格と650V～2200Vの耐圧範囲を実現し、高い堅牢性を保証します。シリコン基板上にGaN（窒化ガリウム）を形成するGaN/Si（ガン･オン･シリコン）トランジスタは、100V / 650V / 900Vの範囲において優れた動的オン抵抗と小さいキャパシタンスを持ち、きわめて高い電力効率と電力密度を実現します。

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージ（ディスクリートおよびモジュール）と保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、設計者はカスタマイズされた高効率かつ長寿命のアプリケーションに適したソリューションを簡単に見つけることができます。

10年間の長期製品供給保証プログラムによる継続的かつ安定した製品供給

STは、STPOWER高電圧MOSFETやIGBT、インテリジェント･パワー･モジュール（IPM）製品を10年間の長期製品供給保証プログラムの対象としています。STPOWER SiC MOSFETも本プログラムの対象製品であり、最低7年間の長期供給が保証されています。通知日から最低10年間または7年間にわたって対象のデバイスが利用可能であることを保証し、お客様の設計資産をサポートします。 保証対象のSTPOWERトランジスタおよびモジュールの一覧はこちら

ワイド･バンドギャップ･トランジスタ

電力効率の向上、小型化、軽量化、システムコストの低減を実現する650V～2200V耐圧SiC MOSFETおよび100V / 650V / 900V耐圧GaNトランジスタ

パワーMOSFET

-100V～1700Vの広い耐圧範囲において、低いゲート電荷とオン抵抗を実現するデバイスを最先端のパッケージで提供

IGBT

耐圧300V～1700V導通損失を低減する低いV_CE(SAT)温度上昇に対するスイッチオフ･エネルギーの改善

パワー･バイポーラ･トランジスタ

V_CESが15V～1700Vのダーリントン･トランジスタおよびBJT