製品概要
概要
The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
-
特徴
- Very low collector-emitter saturation voltage
- Fast switching speed
- High current gain characteristic
- Surface mounting device in medium power SOT-223 package
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - 2STN2540
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| 2STN2540 | 量産中 | SOT-223 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2STN2540 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
2STN2540 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。