製品概要
概要
The device in a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
The complementary PNP is the 2STR2160.
-
特徴
- Very low collector-emitter saturation voltage
- High current gain characteristic
- Fast switching speed
- Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - 2STR1160
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2STR1160 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
2STR1160 量産中
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