製品概要
概要
The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand an high collector current level during breakdown condition, without using the transil protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.
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特徴
- Low spread of dynamic parameters
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- High voltage capability
- Very high switching speed
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - BULD742C
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品質 & 信頼性
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| BULD742CT4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
BULD742CT4 量産中
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