MJD112

量産中
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Low voltage NPN power Darlington transistor

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製品概要

概要

The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration.

  • 特徴

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - MJD112

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
MJD112T4
量産中
DPAK インダストリアル Ecopack2

MJD112T4

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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製品型番
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梱包タイプ
RoHS
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MJD112T4
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MJD112T4 量産中

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

MJD112T4

Operating Temperature (°C) (max):

150

販売代理店

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。