製品概要
概要
The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
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特徴
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated antiparallel collector-emitter diode
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - MJD127
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| MJD127T4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
MJD127T4 量産中
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