製品概要
概要
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
-
特徴
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Very low RDS(on) over the entire temperature range
- High speed switching performances
- Source sensing pin for increased efficiency
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - SCT018H65G3-7
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 24 Aug 2023 | 24 Aug 2023 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT018H65G3-7 | 量産中 | H2PAK-7 | オートモーティブ | Ecopack1 | |
SCT018H65G3-7
Package:
H2PAK-7Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT018H65G3-7 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SCT018H65G3-7 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。