製品概要
概要
The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.
They use a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.
-
特徴
- FULLY CHARACTERIZED AT 125 °C
- VERY HIGH SWITCHING SPEED
- IMPROVED SPECIFICATION:
LOWER LEAKAGE CURRENT TIGHTER GAIN RANGE DC CURRENT GAIN PRESELECTION TIGHTER STORAGE TIME RANGE - NPN TRANSISTOR
- HIGH VOLTAGE CAPABILITY
- MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
- LARGE RBSOA
- LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - ST13007
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品質 & 信頼性
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ST13007 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
ST13007 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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パッケージ:
梱包タイプ:
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