製品概要
概要
The device in manufactured in low voltage PNP Planar Technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
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特徴
- Very low Collector to Emitter saturation voltage
- 5A continuous collector current
- D.C. Current gain, hFE >100
- In compliance with the 2002/93/EC European Directive
- Surface mounting DPAK(TO-252) power package in tape & reel packing
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD888
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品質 & 信頼性
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STD888T4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STD888T4 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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パッケージ:
梱包タイプ:
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