製品概要
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
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特徴
- RDS(on)* Qgindustry benchmark
- Extremely low on-resistance RDS(on)
- Logic level drive
- High avalanche ruggedness
- 100% avalanche tested
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STH160N4LF6-2
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| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
