製品概要
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
-
特徴
- Ultra low on-resistence
- 100% avalanche tested
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
---|
SPICE models (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
---|---|---|---|---|
ZIP | 2.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
---|---|---|---|---|---|
STH180N10F3-2 | 量産中 | H2PAK-2 | インダストリアル | Ecopack1 (*) | |
STH180N10F3-2
Package:
H2PAK-2Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STH180N10F3-2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STH180N10F3-2 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。