製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure.
It ensures very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching.
-
特徴
- MSL1 grade
- 175 °C operating temperature
- 100% avalanche tested
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STL120N10F8
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| LIB | 1.0 | 24 Feb 2023 | 24 Feb 2023 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL120N10F8 | 量産中 | PowerFLAT 5x6 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL120N10F8 | | | 4 distributors |
STL120N10F8 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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パッケージ:
梱包タイプ:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。