製品概要
概要
本Nチャネル・パワーMOSFETは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh™ M9テクノロジーを採用しており、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。シリコン・ベースのMDmesh™ M9テクノロジーは、マルチドメイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造に対応しています。そのため、オン抵抗とゲート電荷値が低いシリコン・ベースの高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETを備えた製品の製造が可能で、特に優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーションに最適です。
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特徴
- シリコン・ベースのデバイスの中でも世界最良クラスのFOM RDS(on)*Qg
- 高いVDSS定格
- 高いdV/dt特性
- ソース・ピンのドライブ機能による優れたスイッチング性能
- シンプルなゲート駆動
- 100%アバランシェ試験済み
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ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
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SPICE models (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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ZIP | 1.0 | 22 Mar 2023 | 22 Mar 2023 |
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STW65N023M9-4 | 量産中 | TO247-4 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STW65N023M9-4
Package:
TO247-4Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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STW65N023M9-4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STW65N023M9-4 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。