SiC（シリコン･カーバイド）： 革新的な高電圧スイッチングおよび整流を実現する最先端技術
STのSiC（シリコン･カーバイド）製品のポートフォリオには、業界最高クラスの200℃の接合部温度定格を特徴とするSTPOWER SiC MOSFET（650V～1700V）や、超低スイッチング損失および標準シリコン･ダイオードよりも順方向電圧（VF）が15%低いSTPOWER SiCダイオード（600V～1200V）が含まれており、効率的かつシンプルな設計を可能にします。詳細については、SiCに関するイノベーション & テクノロジーのページをご覧ください。
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STPOWER SiC MOSFET
主な特徴
- 車載グレード（AG）対応
- きわめて優れた温度特性（最大TJ = 200℃）
- きわめて低いスイッチング損失（温度による変動の最小化）により、高いスイッチング周波数で動作可能
- 動作温度範囲全体にわたる低いオン抵抗
- シンプルなゲート駆動
- 実績のある高速かつ堅牢なボディ・ダイオード
注目ビデオ
Key benefits of the Silicon Carbide technology in car electrification application
