戦略的プログラム
研究開発投資 16% 収益に
占める割合
（2024年）
製造拠点 14 の自社工場
設備投資 ~$25億 2024年度
STは、独自技術や持続可能
な製造施設へ継続的な投資を行っています。
イノベーション実現の鍵
STは、堅牢かつ柔軟なサプライ･チェーンによって支えられた独自のソリューションを提供するため、 競争力のある独自技術と自社製造能力に投資しています。
300mmウェハ製造能力の拡大
アグラテ / クロル
STは、クロル（フランス）工場における独自のデジタルIC向け300mmウェハ製造能力および、アグラテ（イタリア）新工場におけるアナログ製品向け300mmウェハの製造能力を拡大しています。これらの投資により、世界各地の顧客のデジタル化と脱炭素化に貢献しています。
2026年下半期 目標
20%増
クロル工場の製造能力
先端BCD
9000
アグラテ工場の週当たりウェハ製造能力（フル稼働時）
ワイド･バンドギャップ製造能力の拡大
カターニャ / シンガポール / ノルショーピン / ツール / 重慶
STは、カターニャ工場（イタリア）とシンガポール工場、ならびに重慶（中国）における合弁企業を通じてSiC（炭化ケイ素）製品の製造能力を大幅に拡大しています。また、カターニャ工場の「Silicon Carbide Campus」において、垂直統合化を加速させています。
この製造施設には、基板製造やエピタキシャル成長、前工程および後工程（組み立て & テスト）を含むあらゆる製造工程が統合されています。
また、事業目標の達成に向け、GaN（窒化ガリウム）技術にも投資し、製造能力を拡大しています。
SiC
2倍
製造能力拡大
（2024年、2027年～2028年）
200mm SiC
15,000
カターニャ工場の週当たりウェハ製造能力
（フル稼働時）
主要ファンドリやOSATパートナーとの協力
STは、ポートフォリオの補完に貢献する最先端のデジタル技術やパッケージなどの主要技術を活用するために、主要ファンドリやOSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Test）パートナーと協力しています。 TSMC（FinFETテクノロジー）、Samsung Foundries、GlobalFoundries（FD-SOI開発エコシステム）、HHGrace（China-for-Chinaビジネス）、ASEおよびAMKOR（先進的なBGA/WLCSPパッケージ）など、幅広いパートナーが含まれています。
前工程 
後工程 