STPSC20065C

量産中
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650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

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製品概要

概要

The STPSC20065C is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Low Forward voltage drop
    • Operating Tj from -40 °C to +175 °C
    • ECOPACK2 compliant component
    • Power efficient product

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC20065C

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC20065CWL
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TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STPSC20065CWL

Package:

TO-247 long leads

Material Declaration**:

PDF

Marketing Status

量産中

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STPSC20065CWL 量産中

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-
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梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STPSC20065CWL

Junction Temperature (°C) (max):

175

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