STGAP3S6I

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Galvanically isolated gate driver for IGBTs with 6 A Source/Sink current, desaturation protection and adjustable SOFTOFF

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製品概要

概要

The STGAP3S is a family of protected single gate drivers that provides galvanic isolation between the gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry.

The platform includes different options with 10 A and 6 A current capability, each of which is available with dedicated UVLO variants for SiC MOSFETs and IGBTs. 

Ultrafast desaturation protection is also available with differentiated intervention thresholds and adjustable soft turn-off.

The availability of the Miller CLAMP and optional negative driving enables optimal driving performance.

  • 特徴

    • High voltage rail up to 1200 V
    • Driver current capability: 6/10 A sink/source @25 °C
    • ±200 V/ns Common Mode Transient Immunity (CMTI)
    • 75 ns input-output propagation delay
    • Miller CLAMP driver for external N-channel MOSFET 0.3 A source/0.5 A sink
    • Adjustable soft turn-off function
    • VDD UVLO
    • VH UVLO: IGBT and SiC variants
    • Desaturation protection: IGBT and SiC variants
    • Gate driving voltage up to 32 V
    • Negative gate driving voltage up to -10 V
    • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
    • Temperature shutdown protection
    • Reinforced galvanic isolation:
      • Isolation voltage VISO = 5.7 kVRMS (UL 1577)
      • Transient Overvoltage VIOTM = 8 kVPEAK (IEC 60747-17)
      • Max. Repetitive Isolation Voltage VIORM = 1.2 kVPEAK (IEC 60747-17)
    • Wide body SO-16W package

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGAP3S6I

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STGAP3S6I
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SO-16W インダストリアル Ecopack2

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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