STGAP3S6S

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Galvanically isolated gate driver for SiC MOSFETs with 6 A Source/Sink current, desaturation protection and adjustable SOFTOFF

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製品概要

概要

STGAP3Sは、ゲート駆動チャネルと低電圧側の制御およびインタフェース回路間をガルバニック絶縁する、シングル・ゲート・ドライバのファミリです。

プラットフォームには、10Aと6Aの電流容量オプションがあり、それぞれにSiC MOSFETおよびIGBT専用のUVLOオプションが用意されています。 

差別化された介入しきい値と調整可能なソフト・ターンオフとともに、超高速DESAT保護も利用可能です。

ミラー・クランプとオプションの負ゲート駆動を利用することで、最適な駆動性能を実現できます。

  • 特徴

    • 高電圧レール:最大1200V
    • ドライバ駆動電流:6A/10Aシンク / ソース@25℃
    • ±200V/nsコモン・モード過渡耐性(CMTI)
    • 75ns入出力伝播遅延
    • 外部NチャネルMOSFET 0.3Aソース/0.5Aシンク用ミラー・クランプ・ドライバ
    • 調整可能なソフト・ターンオフ機能
    • VDD UVLO
    • VH UVLO:オプションでIGBTまたはSiC用の閾値を選択可
    • DESAT保護:オプションでIGBTまたはとSiC用の閾値を選択可
    • ゲート駆動電圧:最大32V
    • 負ゲート駆動電圧:最大-10V
    • ヒステリシスを持つ3.3V、5VのTTL / CMOS入力
    • サーマル・シャットダウン保護
    • 強化されたガルバニック絶縁:
      • 絶縁電圧VISO = 5.7 kVRMS(UL 1577)
      • 過渡過電圧VIOTM = 8 kVPEAK(IEC 60747-17)
      • 最大繰り返し絶縁電圧VIORM = 1.2 kVPEAK(IEC 60747-17)
    • ワイド・ボディSO-16Wパッケージ

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STマイクロエレクトロニクス - STGAP3S6S

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STGAP3S6S
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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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