製品概要
概要
The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
-
特徴
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated antiparallel collector-emitter diode
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
製品スペック (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 11.2 | 04 Mar 2025 | 04 Mar 2025 |
テクニカル･ノート & 技術解説 (2)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.4 | 11 Jul 2023 | 11 Jul 2023 | ||
| 2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - MJD122
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EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJD122T4 | 量産中 | | 3 distributors | DPAK | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC |
MJD122T4 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
パッケージ:
DPAK
梱包タイプ:
Tape and Reel
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。