SCT070W120G3-4AG

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1200V、63mΩ(Typ.)、30A、HiP247-4パッケージ、車載用SiCパワーMOSFET

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製品概要

概要

本SiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETは、STの先進的かつ革新的な第3世代のSiC MOSFETテクノロジーを駆使して開発されました。本デバイスは、温度範囲全体でRDS(on)がきわめて低く、低キャパシタンス(静電容量)かつ優れたスイッチング動作にも対応していることから、周波数、エネルギー効率、システム・サイズ、および軽量化の面で、アプリケーション・パフォーマンスを全体的に高められます。

  • 特徴

    • AEC-Q101準拠
    • 高速かつ堅牢なボディ・ダイオードを内蔵
    • 極めて低いゲート電荷量と入力容量
    • 非常に高い動作接合部温度性能(TJ = 200℃)
    • 高効率を実現するソース・センシング・ピン

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    • 製品型番
      ステータス
      概要
      タイプ
      サプライヤ

      STSW-eDSim

      量産中

      eDSim: fast and powerful electrical simulation software for SMPS and analog ICs

      評価ツール用ソフトウェア ST
      STSW-eDSim

      概要:

      eDSim: fast and powerful electrical simulation software for SMPS and analog ICs

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STマイクロエレクトロニクス - SCT070W120G3-4AG

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Longevity Commitment Longevity Starting Date 材料宣誓書**
SCT070W120G3-4AG
量産中
HiP247-4 オートモーティブ Ecopack2 10 2024-06-14T00:00:00.000+02:00

SCT070W120G3-4AG

Package:

HiP247-4

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

HiP247-4

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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HiP247-4 Tube CHINA EAR99 NEC

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HiP247-4
梱包タイプ:
Tube
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