SH70M12W3AG

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Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology featuring 1200 V, 67 mOhm typ., 28 A SiC Power MOSFET

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製品概要

概要

The ACEPACK SMIT is a very compact surface mounted SiC MOSFET module. Thanks to the DBC substrate, the ACEPACK SMIT package provides reliable insulation, a low thermal resistance and high flexibility, enabling several configurations.

The SiC MOSFETs inside provide outstanding features, like very low on-resistance, fast switching, reduced parasitic, and robust body diode. The half-bridge association can be used to build several topologies: totem pole PFC, full, and B6 bridges.

  • 特徴

    • AQG 324 qualified
    • Half-bridge topology SiC MOSFET module
    • 1200 V rated voltage
    • Dice on direct bond copper (DBC) substrate
    • SMD with insulated top side cooling
    • Isolation voltage of 3.4 kVrms
    • Low thermal resistance
    • Package molding compound group I (CTI ≥ 600 V, 1000 Vrms in pollution degree 2)

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - SH70M12W3AG

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SH70M12W3AG
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ACEPACK SMIT オートモーティブ Ecopack2

SH70M12W3AG

Package:

ACEPACK SMIT

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

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Package

ACEPACK SMIT

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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