製品概要
概要
The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.
-
特徴
- Fully characterized at 125 ˚C
- Very high switching speed
- In compliance with the 2002/93/EC European Directive
- Improved specification: Lower leakage current, Tighter gain range, DC current gain preselection, Tighter storage time range
- Integrated free-wheeling diode
- High voltage capability
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- Large RBSOA
- Low spread of dynamic parameters
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STB13007DT4
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EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STB13007DT4 | 量産中 | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB13007DT4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STB13007DT4 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。