STB20NM60D

NRND
Design Win

N-channel 600 V, 0.26 Ohm, 20 A FDMESH Power MOSFET in a D2PAK package

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製品概要

概要

The FDmesh™ associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.

  • 特徴

    • High dv/dt and avalanche capabilities
    • Low input capacitance and gate charge
    • 100% Avalanche tested
    • Tight process control and high manufacturing yields
    • Low gate input resistance

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STB20NM60D

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB20NM60D
NRND
D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB20NM60D

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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RoHS
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STB20NM60D
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。