製品概要
概要
超高電圧のNチャネル･パワーMOSFETは、スーパージャンクション･テクノロジーに関するSTマイクロエレクトロニクスの20年に及ぶ経験に基づき、MDmesh™ K6テクノロジーを使用して設計されています。優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーション向けに、クラス最高レベルの単位面積当たりのオン抵抗とゲート電荷を提供することができます。
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特徴
- 最高クラスのRDS(on) x 領域
- 最高クラスのFOM（性能指数）
- 超低ゲート電荷
- 100%アバランシェ試験済み
- ツェナー･ダイオードによる保護
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STP80N600K6
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
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フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 21 Mar 2023 | 21 Mar 2023 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP80N600K6 | 量産中 | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP80N600K6 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STP80N600K6 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。