STS10N3LH5

NRND
Design Win

N-channel 30 V, 0.019 Ohm;, 10 A, SO-8 STripFET(TM); V Power MOSFET

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製品概要

概要

This STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM.

  • 特徴

    • RDS(on) * Qg industry benchmark
    • Very low switching gate charge
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • Low gate drive power losses
    • High avalanche ruggedness

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STS10N3LH5

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フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STS10N3LH5
NRND
SO-8 インダストリアル Ecopack2

STS10N3LH5

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

SO-8

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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梱包タイプ
RoHS
Country of Origin
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STS10N3LH5
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。