製品概要
概要
The L6391 is a high voltage device manufactured with the BCD™ “OFF-LINE” technology. It is a single-chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT.
The high-side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600 V. The logic inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V for easy interfacing the microcontroller/DSP.
An integrated comparator is available for protections against overcurrent, overtemperature, etc.
-
特徴
- High voltage rail up to 600 V
- dV/dt immunity ± 50 V/nsec in full temperature range
- Driver current capability:
- 290 mA source
- 430 mA sink
- Switching times 75/35 nsec rise/fall with 1 nF load
- 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
- Integrated bootstrap diode
- Comparator for fault protections
- Smart shutdown function
- Adjustable deadtime
- Interlocking function
- Compact and simplified layout
- Bill of material reduction
- Effective fault protection
- Flexible, easy and fast design
回路ダイアグラム
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - L6391
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| L6391D | 量産中 | SO-14 | インダストリアル | Ecopack2 | |
| L6391DTR | 量産中 | SO-14 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| L6391D | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
| L6391DTR | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
L6391D 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
L6391DTR 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。