製品概要
概要
The STDRIVEG600W is a single chip half-bridge gate driver for Enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET.
The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V.
The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.
The STDRIVEG600W features UVLO protection on both the lower and upper driving sections, preventing the power switches from operating in low efficiency or dangerous conditions, and the interlocking function avoids cross-conduction conditions.
The logic inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V for easy interfacing with microcontroller and DSP.
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特徴
- dV/dt immunity ±200 V/ns
- Driver current capability:
- 1.3/2.4 A source/sink typ @ 25 °C, 6 V
- 5.5/6 A source/sink typ @ 25 °C, 15 V
- Separated turn on and turn off gate driver pins
- 45 ns propagation delay with tight matching
- 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
- Interlocking function
- UVLO on low-side and high-side sections
- Dedicated pin for shut down functionality
- Over temperature protection
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品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STDRIVEG600W | 量産中 | US WF V.I. | インダストリアル | N/A | |
STDRIVEG600W
Package:
US WF V.I.Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||||
STDRIVEG600W | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STDRIVEG600W 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
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