製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- 10 µs of minimum short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 8 A
- Tight parameter distribution
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGP8M120DF3
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGP8M120DF3 | 量産中 | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGP8M120DF3
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGP8M120DF3 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STGP8M120DF3 量産中
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