製品概要
概要
MASTERGAN1は、ハーフブリッジ構成で1個のゲート・ドライバと2個のエンハンスメント型GaNパワー・トランジスタを集積した高度なパワー・システム・イン・パッケージです。
内蔵のGaNパワー・トランジスタは、RDS(ON)が150mΩ、ドレインソース・ブレークダウン電圧が650Vです。内蔵ゲート・ドライバのハイサイドには、内蔵ブートストラップ・ダイオードから容易に電力を供給できます。
MASTERGAN1には、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部にUVLO保護が搭載されています。このUVLO保護により、効率の低い状態や危険な状態ではパワー・スイッチは動作しません。また、インターロック機能が貫通電流を防止します。
入力端子の広範な入力電圧範囲により、マイクロコントローラ、DSPユニット、またはホールセンサと容易に接続可能です。
MASTERGAN1は、-40℃~+125℃の産業用温度範囲で動作します。
MASTERGAN1はコンパクトな9mm x 9mmのQFNパッケージで提供されます。
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特徴
- ハーフブリッジ・ゲート・ドライバと高電圧パワーGaNトランジスタを集積した600Vシステム・イン・パッケージ
- QFNパッケージ(9mm x 9mm x 1mm)
- RDS(ON) = 150mΩ
- IDS(MAX) = 10A
- 逆導通に対応
- 逆回復損失ゼロ
- ローサイド / ハイサイドのUVLO保護
- 内蔵ブートストラップ・ダイオード
- インターロック機能
- シャットダウン機能専用端子
- 正確な内部タイミングのマッチング
- ヒステリシスとプルダウン付き3.3V~15Vの互換入力
- 過熱保護
- 部品点数の削減
- コンパクトでシンプルなレイアウト
- 柔軟で簡単な短期間設計
- ハーフブリッジ・ゲート・ドライバと高電圧パワーGaNトランジスタを集積した600Vシステム・イン・パッケージ
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MasterGaN, ST's world first solution to integrate Si driver and 2 GaN power transistors in 1 package
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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MASTERGAN1 | 量産中 | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | インダストリアル | Ecopack2 | |
MASTERGAN1TR | 量産中 | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||||
MASTERGAN1 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
MASTERGAN1TR | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
MASTERGAN1 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
MASTERGAN1TR 量産中
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。