MASTERGAN1

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エンハンスメント型GaN HEMTトランジスタを2個搭載した高電力密度650Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

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製品概要

概要

MASTERGAN1は、ハーフブリッジ構成で1個のゲート・ドライバと2個のエンハンスメント型GaNパワー・トランジスタを集積した高度なパワー・システム・イン・パッケージです。

内蔵のGaNパワー・トランジスタは、RDS(ON)が150mΩ、ドレインソース・ブレークダウン電圧が650Vです。内蔵ゲート・ドライバのハイサイドには、内蔵ブートストラップ・ダイオードから容易に電力を供給できます。

MASTERGAN1には、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部にUVLO保護が搭載されています。このUVLO保護により、効率の低い状態や危険な状態ではパワー・スイッチは動作しません。また、インターロック機能が貫通電流を防止します。

入力端子の広範な入力電圧範囲により、マイクロコントローラ、DSPユニット、またはホールセンサと容易に接続可能です。

MASTERGAN1は、-40℃~+125℃の産業用温度範囲で動作します。

MASTERGAN1はコンパクトな9mm x 9mmのQFNパッケージで提供されます。

  • 特徴

    • ハーフブリッジ・ゲート・ドライバと高電圧パワーGaNトランジスタを集積した600Vシステム・イン・パッケージ
      • QFNパッケージ(9mm x 9mm x 1mm)
      • RDS(ON) = 150mΩ
      • IDS(MAX) = 10A
    • 逆導通に対応
    • 逆回復損失ゼロ
    • ローサイド / ハイサイドのUVLO保護
    • 内蔵ブートストラップ・ダイオード
    • インターロック機能
    • シャットダウン機能専用端子
    • 正確な内部タイミングのマッチング
    • ヒステリシスとプルダウン付き3.3V~15Vの互換入力
    • 過熱保護
    • 部品点数の削減
    • コンパクトでシンプルなレイアウト
    • 柔軟で簡単な短期間設計

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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